文章詳情
英飛凌推出CoolSiC產(chǎn)品組合，實(shí)現(xiàn)高效率和功率密度
日期：2025-11-28 17:58
瀏覽次數(shù)：605
摘要：英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級應(yīng)用的的功率密度已達(dá)極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT 模塊，其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴(kuò)展至 太陽能、 服務(wù)器、 儲(chǔ)能、 電動(dòng)汽車充電樁、 牽引、商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。
增強(qiáng)型M1H技術(shù)能夠顯著拓寬柵極電壓窗口，即使...
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級應(yīng)用的的功率密度已達(dá)極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT 模塊，其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴(kuò)展至 太陽能、 服務(wù)器、 儲(chǔ)能、 電動(dòng)汽車充電樁、 牽引、商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。
增強(qiáng)型M1H技術(shù)能夠顯著拓寬柵極電壓窗口，即使在高開關(guān)頻率下，不需任何限制，也能確保柵極應(yīng)對驅(qū)動(dòng)器和布局引起的感應(yīng)電壓尖峰的高可靠性。此外，極低的開關(guān)損耗和傳輸損耗可以*大限度地降低冷卻需求。結(jié)合高反向電壓，這些半導(dǎo)體器件還可滿足現(xiàn)代系統(tǒng)設(shè)計(jì)的另一項(xiàng)要求。借助英飛凌CoolSiC TM芯片技術(shù)，轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)可以變得更有效率，單個(gè)逆變器的額定功率得以進(jìn)一步提高，從而降低整體系統(tǒng)成本。
配備銅基板和螺紋接口，該封裝具有高魯棒性的機(jī)械設(shè)計(jì)，可提高系統(tǒng)可用性、降低服務(wù)成本和減少停機(jī)損失。通過強(qiáng)大的熱循環(huán)能力和150°C的連續(xù)運(yùn)行結(jié)溫（T vjop）實(shí)現(xiàn)出色的可靠性。其對稱的內(nèi)部封裝設(shè)計(jì)使得上下開關(guān)具有相同的開關(guān)條件。可以選裝預(yù)涂熱界面材料（TIM），進(jìn)一步提高模塊的熱性能。
供貨情況
采用62mm封裝的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三種型號可供選擇。2000 V產(chǎn)品組合將包含4 mΩ/300 A和3 mΩ/400 A兩種型號。1200 V/3 mΩ和2000 V/5 mΩ型號將于2024 年一季度推出。它還有專為快速特性評估（雙脈沖/連續(xù)工作）設(shè)計(jì)的評估板可供選擇。為了便于使用，該評估板還提供可靈活調(diào)整的柵極電壓和柵極電阻，同時(shí)還可作為批量生產(chǎn)驅(qū)動(dòng)板的參考設(shè)計(jì)使用。
增強(qiáng)型M1H技術(shù)能夠顯著拓寬柵極電壓窗口，即使在高開關(guān)頻率下，不需任何限制，也能確保柵極應(yīng)對驅(qū)動(dòng)器和布局引起的感應(yīng)電壓尖峰的高可靠性。此外，極低的開關(guān)損耗和傳輸損耗可以*大限度地降低冷卻需求。結(jié)合高反向電壓，這些半導(dǎo)體器件還可滿足現(xiàn)代系統(tǒng)設(shè)計(jì)的另一項(xiàng)要求。借助英飛凌CoolSiC TM芯片技術(shù)，轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)可以變得更有效率，單個(gè)逆變器的額定功率得以進(jìn)一步提高，從而降低整體系統(tǒng)成本。
配備銅基板和螺紋接口，該封裝具有高魯棒性的機(jī)械設(shè)計(jì)，可提高系統(tǒng)可用性、降低服務(wù)成本和減少停機(jī)損失。通過強(qiáng)大的熱循環(huán)能力和150°C的連續(xù)運(yùn)行結(jié)溫（T vjop）實(shí)現(xiàn)出色的可靠性。其對稱的內(nèi)部封裝設(shè)計(jì)使得上下開關(guān)具有相同的開關(guān)條件。可以選裝預(yù)涂熱界面材料（TIM），進(jìn)一步提高模塊的熱性能。
供貨情況
采用62mm封裝的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三種型號可供選擇。2000 V產(chǎn)品組合將包含4 mΩ/300 A和3 mΩ/400 A兩種型號。1200 V/3 mΩ和2000 V/5 mΩ型號將于2024 年一季度推出。它還有專為快速特性評估（雙脈沖/連續(xù)工作）設(shè)計(jì)的評估板可供選擇。為了便于使用，該評估板還提供可靈活調(diào)整的柵極電壓和柵極電阻，同時(shí)還可作為批量生產(chǎn)驅(qū)動(dòng)板的參考設(shè)計(jì)使用。
